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芯片托盘校正隧道炉

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产品简介

在半导体制造的精密赛道上,芯片托盘变形正成为影响生产效率与产品良率的 “隐形杀手”。材料老化、高温冲击、应力不均等因素,可能导致托盘出现翘曲、形变,引发芯片定位偏差、接触不良等问题,造成生产线停滞、良品率骤降,甚至带来高昂的返工成本与交付风险。如何突破这一技术瓶颈?爱福旺公司自主研发的隧道炉,以创新科技为芯片托盘 “重塑新生”,为半导体生产注入高效稳定动能!

产品详情


芯片托盘变形隧道炉参数如下:

内胆尺寸:长3000*宽,330*高 150mm,炉口净高 50mm,配手动调节门。
外形尺寸(约):长3000*宽 650*高 2150日mm,地面离输送面高度1350mm±25mm,进/出料段各留500rnrn。
温度范围:室温+10~+250℃可调节。
温度波动度: 小于等于±l °C。
温度均匀度:小于等于土3℃(恒温状态下, 空载测试)。
升温速率: 大于等于5-10度/分。
外壳温度: 温升不超过环境+15℃, 接缝处周边除外。
循环风方式:水平循环运风
电源:二相五线制, 380V, 50HZ

功率: 约14KW

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